Ansys RaptorH电磁（electromagnetic；EM）模拟解决方案已获三星晶圆代工（Samsung Foundry）先进系统单晶片（Systems-on-chip；SoC）以及2.5D/3D积体电路（2.5D/3D-IC）的开发认证。该认证能让Ansys帮助三星设计师和三星晶圆代工客户，在采用三星全新signoff流程时更精确分析和减少EM效应相关风险，大幅加快最先进人工智慧（AI）、高效能运算（high-performance computing；HPC）和5G半导体设计进程。

三星一系列的先进奈米晶片和2.5D/3D-IC技术需要认证EM干扰的signoff方法。EM干扰会对复杂的多晶片封装（multi-chip assemblies）造成负面影响，而这是传统工具无法处理的任务。工程师需要使用高容量的EM分析工具，才能针对处理超高资讯传输速率的超大型SoC和2.5D/3D封装建立正确模型。2.5D/3D-IC讯号互动难以量化，此为影响故障的关键要素，并限制新技术采用率。

RaptorH的高度整合分析解决方案结合Ansys HFSS高传真高频率电磁解决方案以及Ansys RaptorX的超高速度与可靠架构，可帮助三星设计师建立EM现象模型，并确信寄生（parasitic）效应不会对系统造成负面影响，故能提高2.5D/3D晶片封装的时脉频率。这将推动此全新封装技术更快地进入主流生产，并大幅降低风险。

三星电子晶圆代工设计平台开发执行??总裁Jaehong Park表示：「由於资料传输速率、电子系统整合层次和封装密度的提高，市场对新EM分析能力需求已成长至前所未见的规模。Ansys RaptorH能帮助我们优秀的工程团队克服EM负面现象，进而缩短设计周期、减少预算并提升效能。」

Ansys工程??总裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示：「我们与三星持续保持深厚合作关系，RaptorH提供升级版signoff流程，排除EM干扰风险并直接支援三星开发最顶尖的AI、HPC和5G半导体设计。RaptorH将帮助三星设计师和晶圆代工客户缩小晶片尺寸、降低电源需求、压低成本和加速产品上市时程。该解决方案亦展现Ansys不仅具有能将Helic等新收购公司的产品快速与既有产品线整合，也能加速成长并提供全球客户急需的解决方案。」