半导体技术市场的风向球，正迅速从制程微缩转向封装技术，要实现创新应用，并同时达成低高耗与高效能，唯有从3D的封装结构着手，也因此英特尔正积极布局其先进封装技术。

在本周的旧金山SEMICON West，英特尔再度发表两个先进封装的技术进展，并推出了新的区块架构，包括整合了EMIB和Foveros的Co-EMIB技术，以及全新的全定向互连（Omni-Directional Interconnect; ODI）技术。

英特尔先前所发布的EMIB和Foveros技术，是利用高密度互连技术来实现低功耗与高频宽，其I/O的密度也能与其他竞争技术相当或者更好。其新发表的Co-EMIB技术则可实现更多运算性能和功能的整合。Co-EMIB允许两个或更多个Foveros元件的互连，并具备单晶片的性能。设计人员也能以非常高的频宽和极低的功耗连接类比，记忆体和其他区块元件。

ODI则为封装中的小晶片（chiplet）之间的通信提供了更好的灵活性。顶端的晶片可以与其他小晶片水平互连，类似於EMIB。但它还可以运用TSV技术与底层的晶片垂直通信，类似於Foveros。

ODI利用大型垂直的导通孔，直接从封装基板向顶部晶片供电。大型的导通孔比传统TSV大得多，具有更低的电阻，而透过堆叠实现更高频宽和更低延迟，提供更强大的电力传输。同时，这种方法减少了底部晶面所需的TSV数量，减少了主动电晶体的面积，并优化了晶片的尺寸。