联华电子（UMC）推出55奈米Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）平台，以满足次世代行动装置、消费电子、汽车及工业应用对高效能与低功耗电源管理晶片的需求。该平台整合类比、数位与电源功能於单一晶片上，可实现更小晶片面积、更低功耗与更隹抗杂讯表现，大幅提升电源电路设计的灵活性与可靠性。

联电推出55奈米BCD平台

BCD技术因能同时整合高压与低压元件，广泛应用於电源管理与混合讯号IC。联电此次推出的55奈米BCD平台，针对多元应用提供完整制程选项：非外延（Non-EPI）制程具成本效益的架构设计，兼顾行动与消费电子产品的高效能与类比特性；外延（EPI）制程符合AEC-Q100 Grade 0最严苛车规标准，可支援高达150V的操作电压，确保汽车电子在极端环境下仍具高可靠性；绝缘矽（SOI）制程适用於高阶车用与工业领域，符合AEC-Q100 Grade 1标准，具备优异的抗杂讯能力、高速特性与低漏电表现。

此外，该平台整合了超厚金属（UTM）、嵌入式快闪记忆体（eFlash）与电阻式随机存取记忆体（RRAM）技术，进一步提升电源IC的效能与功能多样性。

目前，联电已建立BCD制程组合，涵盖从0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.11μm至55奈米的多节点技术。