应用材料宣布推出高长宽比沟道（HART：High Aspect Ratio Trench）硅蚀刻反应室，能在100nm或更精密组件上，蚀刻电容结构的高长宽比沟道。这个反应室是应用材料与一家DRAM制造商的合作成果，可支持200mm或300mm晶圆，蚀刻长宽比大于60：1的沟道结构，同时在具有生产价值的蚀刻速率下，提供杰出的制程重复性与均匀性。

应用材料蚀刻产品事业群硅蚀刻部门总经理Dragan Podlesnik表示：「市场需要速度更快且效能更强大的记忆芯片，这为DRAM制造带来新的挑战，包括蚀刻更深的沟道结构，以满足不断增加的电路密度需求。为确保HART反应室能满足日益严格的产业要求，我们特别与一个重要客户合作，学习他们丰富的DRAM生产经验，这项合作计划促成了高长宽比沟道技术与生产力的大幅增进。根据HART反应室所展现的实际工作效能，我们预期这套解决方案将能支持往后数个世代的组件。」

HART反应室是以应用材料的MERIE（Magnetically Enhanced Reactive Ion Etch）离子蚀刻技术为基础，并采用一种全新的反应室设计，可蚀刻出均匀沟道，同时让微距小于80nm。这套系统还提供极佳的制程重复性和精准的反应室匹配能力，这都是芯片量产过程中的重要参数，可确保在晶圆边缘、和不同晶圆、生产批次及设备间，拥有一致且均匀的蚀刻结果，进而改善设备的生产良率。除反应室的效能提升外，蚀刻速率也大幅增加，让产出率比先前的解决方案多出一倍，也把设备的生产力带入新境界。

应用材料公司蚀刻产品事业群的副总裁暨总经理John Hoffman表示：「结合客户在DRAM制造领域的知识，以及我们在蚀刻制程设备方面的经验，我们发展出更高长宽比沟道的蚀刻设备，并确信它是业界最好的量产解决方案。应用材料是蚀刻市场的领导厂商，我们新推出的HART反应室将更能满足业界要求，提供更高长宽比的沟道蚀刻能力、极佳的蚀刻均匀性及更佳的产出率，方得以在新世代的内存芯片制造中，持续业界的领导地位。」

根据迪讯公司（Dataquest）的研究，在未来的五年里，沟道蚀刻技术市场将成长一倍，从2000年的1.02亿美元增加至2005年的2.17亿美元；此外，2000年硅蚀刻市场总规模估计为12亿美元，预计到2005时会达到19亿美元。