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Elpida将技转中芯0.13微米DRAM制程技术
双方已签订五年代工合作协议

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年01月07日 星期二

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大陆晶圆代工业者上海中芯国际日前表示,该公司已与日本DRAM厂Elpida,签订为期五年的DRAM代工协定,中芯将自2003年起在上海8吋晶圆厂以Elpida技转之0.13微米堆叠式(Stacked)制程,为Elpida代工标准型DRAM。

中芯在2002年初由东芝、富士通技转0.18微米记忆体制程,已开始为二家大厂代工64Mb DRAM与快闪记忆体(Flash)等产品,2002年12月初则获英飞凌(Infineon )技转0.14微米构槽式(trench)DRAM制程技术,为英飞凌代工256Mb DDR晶片,日前则宣布由Elpida取得0.13微米堆叠式DRAM制程技转,将在2003年起为Elpida生产256 Mb DDR与SDRAM晶片。

中芯表示,此次合作将促进日本半导体厂商与中国晶圆代工厂商的合作关系,此种合作模式将有效结合日本在技术、产品和设计的优势,与中国大陆的晶圆代工优势,为双方创造双赢。日本Elpida则表示,中芯将于2003年第三季开始生产,初始产能为月投1万片,2004年将提高至1.5万片。

对于中芯积极进军DRAM市场,国内DRAM厂力晶、茂矽、南亚科等均认为,短期间内大陆晶圆厂仍无法在DRAM市场有影响力。业者表示,大陆晶圆厂虽然获得国际大厂技转,但因大陆晶圆厂在国外筹资有不少限制,又无法获得当地银行大笔资金联贷,资金的不足将会影响到其未来的扩产与制程技术微缩(shrink)计划,加上现阶段美国仍限制高阶设备进口大陆,所以大陆并不是一个适合制造DRAM的地方。

關鍵字: Elpida  中芯  动态随机存取内存 
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