德州仪器（TI）日前宣布，已成功利用标准CMOS逻辑制程技术生产64 Mbit铁电随机存取记忆体（FRAM），证明这项技术可在各种不同应用中，做为嵌入式快闪记忆体和嵌入式DRAM的低成本替代元件。把记忆体和处理器、周边及其它各种零件整合至同一颗晶片中，即可减少系统零件数目和复杂性，同时提高系统效能，增加资料安全性。 TI认为FRAM在许多方面都优于其它嵌入式记忆体，例如它的制造成本较低，功率消耗也较少。TI生产的64 Mbit FRAM元件也包含业界最小的FRAM记忆元（cell），只有0.54平方微米。

TI表示，FRAM提供快速存取时间、低功率消耗、很小的记忆元面积和很低的制造成本，这表示它可同时支援程式和资料应用，是各种无线产品的理想记忆元件，其它潜在市场应用还包括宽频存取、消费性电子和TI种类广泛的可程式DSP。 FRAM有潜力成为最理想的资料非挥发性记忆体，并在2005年时为各种产品广泛采用，这证明只要结合半导体材料研究和创新产品设计，即可为业界带来重大技术进步，TI相信FRAM将使得嵌入式记忆体产品出现巨大改变。