据日本工业新闻报导，东芝、SanDisk将共同研发90奈米制程的NAND型快闪记忆体（Flash），企图藉由先进制程扩增快闪记忆体的产量，以提升竞争能力。

东芝及SanDisk是自1999年开始合作研发新制程技术，至今已共同开发出0.21、0.16、0.13微米制程技术；而近期之内东芝也将以双方共同研发的90奈米制程技术，导入该公司的NAND型快闪记忆体生产线，以提高产量、提升竞争力。

目前东芝生产的NAND型快闪记忆体最大容量为1G，该公司预定在2003年后半开发出容量2G的新产品，并计划于2004年第一季（1～3月）推出上市。

NAND型快闪记忆体的应用产品，大半为数位相机用的记忆卡，随着可照相手机等电子产品在市场上热卖，对扩增记忆体容量的需求越来越多，该产品的后势可期。