工研院电子所及台湾集成电路制造公司20日共同宣布，双方于日前正式签订磁电阻式随机存取内存 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 合作发展计划。此计划将结合台积公司前段制程技术及电子所的后段制程技术的优势，除了可实时切入下一世代奈米电子的制程技术开发外，将有助于继续维持我国半导体产业技术的优势。

台积电表示，磁电阻式随机存取内存 (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) 系利用具高敏感度的磁电阻材料制造的内存，是一种新颖的非挥发性 (Non-Volatile) 内存，其特性为具有高读写速度、高集积度、高耐久性、低耗电及抗幅射线多项优点，同时整合了DRAM、SRAM及Flash的特性。此外，其可以与现有的CMOS制程整合，ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) 已将其列为最新的下一代内存。最近已陆续有许多国际厂商发表MRAM的研发成果及量产商用产品，包括在太空科技、可携型医学电子产品及先进行动数字与网络产品的应用，未来的市场潜力无穷。

电子所所长徐爵民博士指出，寻求更快、更低耗能及更微小的组件一直是国际上IC发展的共同目标。随着IC技术的不断改进，目前已遭遇到必须寻求新材料、新结构与新制造技术之IC细微化极限的挑战。因此，就全球IC技术发展的趋势来看，为确保我国在产业之制造优势，透过国家型奈米科技发展计划来开发奈米电子技术实为刻不容缓的工作。其中，自旋电子(Spintronics)组件为奈米电子重要技术之一，而MRAM又是自旋电子组件中，短期内最可能实用化的应用产品技术。因此，电子所将致力于自旋电子组件设计、大面积铁磁性超薄薄膜成长及蚀刻、自旋电子组件与CMOS制程整合等MRAM核心技术之开发，并透过与台积公司之合作，结合其磁性电路设计与产品验证，以建立高密度MRAM关键制程技术。电子所与台积公司的合作开发计划可望加速建立国内MRAM自主性关键技术。

台积公司技术长胡正明博士表示，台积公司向来在研究发展方面不遗余力，藉由不断开发新世代以及更多样之量产制程技术，期为客户继续提供最完善、最先进的专业集成电路制造服务，共同提高客户与台积公司的竞争力。其中MRAM便是已开始布局的下世代新晶体管制程技术之一。此次透过与电子所的合作，台积公司可以以既有的先期研究基础(know-how)，结合双方的优势及资源共同合作，使台湾跻身世界研究开发MRAM先驱行列，同时更可扩展台积公司现有的技术频谱，跨入新世代的技术领域。