新一代之内存产品技术之研发，是全球半导体业者关注的焦点。日本松下电子（Matsushita）宣布该公司已开发0.18微米制程之嵌入式铁电内存（FRAM）；此外IBM微电子与英飞凌（Infineon）合资之欧洲半导体业者Altis，亦积极努力将新一代内存──磁性随机存取内存（MRAM）由实验室导入商业化。

据网站EE Times报导，松下之FRAM新产品较过去以0.35制程生产的FRAM记忆容量更大，可内建于系统单芯片（SoC）组件中，此外堆栈式构装方法也将内存单元大小减少到只有之前FRAM的十分之一；该组件执行电压为1.1V并采用环保无铅材料，预计样品在8月推出，目标市场为行动电子设备和网络设备。

而最近获得法国和当地政府2500万欧元（2830万美元）的资助后，Altis期待成为首批将新一代内存MRAM由实验室导入商业量产的公司之一。该公司表示，法国政府为期三年的资金补助将于9月入账，届时将用以设立研究中心并计划在2005年进行MRAM的商用化生产。

法国为成为欧洲半导体研发中心，积极在新型内存包括MRAM的开发和生产工作。MRAM被预期是整合了现有储存技术特色之新一代内存，它具备DRAM的高密度特色、SRAM的高速度特色和闪存的非挥发性。主要挑战是制造商如何采用新型材料和新制程技术更快更经济地掌控MRAM生产。