Microchip公司日前透过其子公司Silicon Storage Technology（SST）推出已通过验证的、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite技术平台的、SST低光罩数嵌入式SuperFlash非挥发性记忆体（NVM）产品。仅仅只需四个罩照步骤(masking steps)即可将SST嵌入式SuperFlash储存解决方案和GLOBALFOUNDRIES的BCDLite技术结合在一起，为电源、微控制器（MCU）和工业IC设计人员提供一款高成本效益、高耐用性的嵌入式快闪记忆体解决方案。在诸如电池充电（5V-30V）等高容量电源应用领域，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台与SST SuperFlash嵌入式储存功能的搭配将实现先进的电池监测功能，准确测量出电池的年龄和健康度。

基于130nm BCD Lite平台的嵌入式快闪记忆体技术,适用于电源、微控制器和工业应用领域。

作为结合SST嵌入式SuperFlash储存技术和先进类比技术的平台，GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台拥有低导通电阻，这使得设计人员能够以小尺寸晶粒实现单晶片、可程式设计的电源解决方案。

SST全球市场行销及业务开发总监Vipin Tiwari表示：「低光罩数嵌入式SuperFlash技术与先进130 nm BCDLite制程的结合，开辟了产品全新的应用潜力，尤其是对于电源管理市场而言，令人倍感振奋。现在，有BCDLite制程需求的客户可以在降低成本的同时为其复杂演算法添加嵌入式SuperFlash储存技术。」

「我们与SST合作开发出的这款130 nm BCD+NVM模组化平台产品，适用于各类要求苛刻的电池供电应用，包括无人机、智慧马达控制、以及正常关闭行动运算等。」GLOBALFOUNDRIES嵌入式储存副总裁Dave Eggleston表示。

基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite平台的SST SuperFlash技术方案现已开始投放市场，同时由一个资源丰富的自订库提供完备的技术支援，该自订库包含了针对类比/电源SoC而最佳化的现成IP模组资源。 （编辑部陈复霞整理）