先進微影材料廠商羅門哈斯電子材料公司微電子技術事業部與全球材料、應用技術及服務整合領導廠商--Dow Corning日前宣佈延展雙方的共同開發協議，以針對次65奈米的快閃記憶體、DRAM和邏輯元件合作開發創新的旋塗式矽硬罩幕抗反射（spin-on silicon hardmask anti-reflective）塗層產品。

羅門哈斯電子材料與Dow Corning是在兩年前展開此項合作計劃，雙方在這段期間成功推出首款商用旋塗式硬罩幕材料，並有多家亞洲客戶將它導入高產量快閃記憶體的生產作業。先進硬罩幕抗反射塗層必須有高矽含量才能提高蝕刻選擇性，因此Dow Corning開始供應特別的樹脂材料（resins），它在加入羅門哈斯電子材料公司的硬罩幕抗反射塗層產品後可以提供很高的矽含量。

羅門哈斯電子材料公司微電子技術事業部總裁Dr. Yi Hyon Paik表示：「我們擁有領先業界的抗反射材料研發團隊，而Dow Corning則是半導體市場中在聚合物化學與生產領域極具實力的主要矽材料公司，雙方的合作已為彼此客戶帶來極大好處。同時，客戶對於我們創新的矽硬罩幕產品反應相當熱烈，我們正積極開發和測試更多的新產品，預計在不久的將來即可將這些新產品提供給我們的客戶。」

這些新的旋塗式矽硬罩幕抗反射性塗層可以讓半導體製造商利用傳統蝕刻製程將電路圖案非常精確地轉印到各種硬度與厚度的基材。這旋塗式矽硬罩幕抗反射塗層兼具傳統化學氣相沉積（CVD）硬罩幕的蝕刻光罩功能，以及通常需再多用另一種旋塗式有機抗反射劑才能提供的反射控制能力。所以省去了這項CVD硬罩幕所需的抗反射材料塗佈製程將可大幅縮短半導體的製造流程。

「Dow Corning與羅門哈斯電子材料利用雙方的先進材料技術來提高微影製程的有效解析度，使兩家公司在延續傳統光學微影技術上一直扮演關鍵的角色。」Dow Corning先進技術與創投事業的企業副總裁暨總經理Marie Eckstein表示，「隨著半導體產業開始展望65奈米以下之世代，我們將持續合作以協助半導體製造商延持續朝摩爾定律（Moore's Law）所描繪的技術發展道路前進。」

當這種旋塗式矽硬罩幕用於三層圖案轉移製程（trilayer pattern transfer process），即可為浸入式微影製程（immersion lithography）提供最好的反射控制管理能力。而浸入式微影製程是已獲得45奈米及以下節點所接受的一項先進成像技術。