先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備。

Toshiba的新款1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體，將推動工業電源設備實現高效率（source：Toshiba）

最新TRSxxx120Hx系列為1200 V產品，採用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改進型接面柵極肖特基（JBS）結構，此結構將混合式PiN肖特基（MPS）結構整合在JBS結構中，MPS可在大電流下降低正向電壓， JBS不僅可降低肖特基介面的電場，還可以減少電流洩漏。由於在接面柵極中使用新型金屬，有助於這些新產品實現前沿的1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流，可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

Toshiba現已開始提供TRSxxx120Hx系列的十款新產品，包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。Toshiba將繼續擴大SiC電源零組件的產品線，並持續專注於提高效率，降低工業電源設備功耗。