英特爾（Intel）技術及製造事業群（Technology & Manufacturing Group）副總Stefan Lai，日前在參加一場科技論壇時指出，若業者能順利進階到45奈米以下製程，NAND型及ETOX型快閃記憶體（Flash）至少可繼續維持5年榮景。而由於NAND型Flash持續缺貨，一家名為Nanochip的新創業者研發出採用微機電系統（MEMS）的儲存裝置，以做為儲存裝置的解決的替代解決方案。

網站Silicon Strategies引述Stefan Lai看法表示，NAND型及ETOX型Flash已經歷經八代的演變，每一代的體積都有效縮小了50％，若半導體製程推進到65及45奈米仍能順利量產，則NAND型仍是5年內非揮發性記憶體的主流。而目前相位轉換記憶體（Phase Change Memory）、鐵電聚合物記憶體（Ferroelectric）有機會取代NAND型Flash，而MRAM、非聚合物鐵電記憶體（FRAM）的機會較小。

英特爾認為MRAM及FRAM沒有競爭力，在MRAM上，儲存速度雖然可以追上SRAM，但MRAM與Flash不同，結構上必須使用電晶體，而不像Flash使用二極體，兩者會在體積上造成極大差異。此外，在記憶體的發展上，儲存密度將受到微影設備的影響，因此英特爾看好聚合物類的記憶體。

此外，因為NAND型Flash全球性缺貨，廠商紛紛尋求可替代Flash的產品；一家名為Nanochip的新公司研發出採用MEMS技術的儲存裝置，並已募集了2000萬美元的資金，該產品希望能用於數位相機、MP3隨身聽、手機、PDA等可攜式產品中，未來每平方英吋的產品可以儲存1Terabit（1000Gbit），並可以抹寫10億次以上。