帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78%
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2021年09月05日 星期日

瀏覽人次:【2483】

TrendForce表示,2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預估今年營收將達8,300萬美元,年增率高達73%。

據TrendForce研究,GaN功率元件,其主要應用大宗在於消費性產品,至2025年市場規模將達8.5億美元,年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查,截至目前已有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機,且筆電廠商也有意跟進。

而全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元,年複合成長率達38%,其中前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%,新能源車產業中又以主驅逆變器、車載充電機(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應用大宗。

TrendForce指出,因第三代半導體GaN及SiC基板(Substrate)材料生長條件相對困難,以及現行主流尺寸大致落於6吋並往8吋方向邁進,驅使價格相較傳統8吋、12吋Si基板高出5~20倍不等。由於多數材料仍集中於美國科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中;部分陸系業者如山東天岳(SICC)及天科合達(Tankeblue)等在中國十四五政策支撐下相繼投入,以期加速國產化自給自足目標。

台灣在第三代半導體發展進程方面,儘管歐、美、日等地發展較早且製作工藝較成熟,但TrendForce認為台灣相對處在有利位置。由於台灣本身具備長期矽(Si)開發經驗,並擁有完整上、下游供應鏈,加上近期在地化材料、設計與技術等政策牽引等優勢,驅動台灣目標成為半導體先進製造中心,使前段基板及磊晶產業鏈逐步成形,以及中後段晶片設計、製造及封測亦為主力項目。

目前漢民集團的嘉晶(EPI)、漢磊科(EPISIL)與中美晶集團的環球晶(GW)、宏捷科(AWSC)、兆遠(CWT)、朋程(ATC)等兩大聯盟,透過合作策略希冀在稀缺的基板區塊發揮最大整合效益;此外,廣運集團與太陽能廠太極(TAINERGY)共同投資的盛新材料(TAISIC),除了目前在送樣驗證的4吋SiC基板,也積極投入6吋SiC基板的研發。

關鍵字: GaN  TrendForce 
相關新聞
德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍
格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BI9P6O9CSTACUKP
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw