無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性。

在aPEC電子展上，由維吉尼亞理工大學的研究人員與 CGD 創新與研究總監 Daniel Popa 共同提出名為《A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness》（具有絕佳柵極過電壓穩健性的 GaN HEMT）的技術論文中，以實驗證明ICeGaN HEMT 在智慧保護電路的支援下，顯示出超過 70V 的超高過電壓裕度，這與最先進的傳統矽裝置相當，甚至可能更高。

CGD 創新與研究總監Daniel Popa表示：「突發的高驅動電壓是在設計 GaN HEMT 裝置的柵極可靠性和驅動器時所考慮的一大問題。最先進的 GaN HEMT 能夠承受 25V 左右的電壓，這在轉換器等應用裝置裡可能是在柵極電壓過衝的範圍內，而造成裝置故障。在出現 ICeGaN 之前，只有最先進的碳化矽（SiC）和超接面裝置才能達到 70V 或更高的崩潰電壓值。」

ICeGaN HEMTS 自有一套獨特能力，共同提高了裝置的可靠性及堅固性。除了經維吉尼亞理工大學研究證實，完全整合的GaN智慧電路所大幅提升的動態柵極崩潰能力，ICeGaN 技術還具有更高的 3V 電壓閾值、更高的 0-20V 電壓範圍，以及在較低溫度下更強大的柵極電壓箝位作用。

智慧 ICeGaN 電路另加入新式米勒鉗位（Miller Clamp）電路，確保免受高 dV/dt 和 dI/dt 事件的影響，無需負柵極電壓即可關閉（及保持關閉）HEMT，這樣又減少對動態 R_on應力的暴露。

CGD商務長Andrea Bricconi表示：「我們的設計將使用晶片氮化鎵 GaN 製造的智慧保護電路與 HEMT 進行整合，能夠實現ICeGaN 技術易用性與可靠性的兩大優點，以與 MOSFET 相同的方式來驅動裝置，無需使用特殊的柵極驅動器、複雜且有損耗的驅動電路、負電壓電源要求或額外的箝位零件，且能在惡劣及具有挑戰性的應用環境中使用。」