盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII還配備了全自動平臺，支援6英吋平邊和V型槽晶圓的批量制程，同時結合了盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術，可實現最佳性能。

盛美半導體設備董事長王暉表示，隨著電動汽車、5G通信、RF和AI應用的強勁需求，化合物半導體市場正在蓬勃發展。一直以來，化合物半導體製造制程的自動化水準有限，並且受到產量的限制。此外，大多數電鍍制程均採用均勻性較差的垂直式電鍍設備進行。盛美新研發的Ultra ECP GIII水準式電鍍設備克服了這兩個困難，以滿足化合物半導體不斷提升的產量和先進性能需求。

盛美的Ultra ECP GIII設備通過兩項技術來實現性能優勢：盛美半導體的第二陽極和高速柵板技術。第二陽極技術可通過有效調整晶圓級電鍍性能，克服電場分佈不均造成的問題，以實現均勻性控制。它可以應用於優化晶圓邊緣區域圖形和V型槽區域，並實現3%以內的電鍍均勻性。

盛美的高速柵板技術可達到更強的攪拌效果，以強化質傳，從而顯著改善深孔制程中的臺階覆蓋率，同時提升的步驟覆蓋率可降低金薄膜厚度，進而為客戶節約成本。