台積電宣佈於2003年第三季導入90奈米製程，預計2004年初可有少量產品出貨；此外台積電行銷副總胡正大亦表示，該公司已針對65奈米製程相關微影（Lithography）機台光源的瓶頸研發出突破之道。

胡正大是於應邀出席工研院「2003年奈米國家型科技計畫商機探討記成果發表會」時宣佈台積電在65奈米製程部分的進展。因目前193奈米波長的曝光機（Scanner）只能做到130奈米及90奈米的線寬，可完成65奈米製程之157奈米曝光機技術進展卻出現延誤，而台積電研發出在光源與晶片間加入液體，使原本193奈米波長縮短至132奈米的方式，達到完成65奈米製程的效果。

此外胡正大表示台積電之90奈米製程技術已經就位，預計在第三季導入試產，並可在2004年初見到小量產品出貨；另外，12吋廠在0.15微米及0.13微米製程皆已邁入量產階段，未來所有新製程技術產品都將在12吋廠開發量產。