意法半导体（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET让电源设计人员能够满足更高功率和更高效的系统需求，其拥有同级最好的导通电阻（RDS(ON)）和动态特性。

意法半导体新款900V MOSFET在需要宽范围输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。

900V崩溃电压确保在高汇流排电压系统应用下具有更高的安全系数。新系列产品含有第一个RDS(ON)导通电阻低于100m?的900V MOSFET，DPAK产品并提供工规最佳的RDS(ON) 阻抗。低栅电荷（Qg）特性确保更快的切换速度，在需要宽范围输入电压的应用领域，实现更大的配置灵活性。这些特性让标准、准谐振电路、主动钳位元设计等各种反激式转换器具有高效和可靠性，涵盖范围低至35W，高至230W的额定功率范围或最高。此外，低输入输出电容（Ciss、Coss）可实现零电压切换，使半桥LLC谐振转换器的电能损耗最小化。

新元件的高安全系数和优异的动态特性让设计人员能够提高各种产品的性能，例如，伺服器电源、三相交换式电源（Switched-Mode Power Supplies，SMPS）、LED照明电源、电动汽车（Electric -Vehicle，EV）充电器、太阳能板、焊接机、工业设备驱动系统和工厂自动化。

意法半导体MDmesh K5系列超接面电晶体产品种类繁多，包括800V、850V、900V、950V、1050V、1200V和1500V额定电压的产品。再加上灵活的封装选择，包括TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247长针脚、IPAK和I2PAK，以及D2PAK和DPAK表面功率封装，意法半导体的超接面系列为设计人员提供丰富的超高电压（Very High Voltage，VHV）MOSFET产品。

最新的900V MDmesh K5 MOSFET即日上市。