Diodes公司全新推出两款采用旗下专利沟槽型超级势垒整流（Trench SBR）技术的组件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格需求。

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两款全新沟槽型超级势垒整流器具有极低的正向电压、低漏电流，并以较低的温度操作，能有效满足充电器输出整流二极体的需求，从而易于处理36kHz断续模式充电器设计中较短的电流脉冲。

Diodes推出的两款元件包括适合10W智慧型手机充电器的15A SBRT15U50SP5，以及为12.5W平板电脑充电器设计的20A SBRT20U50SLP。这类充电器的设计日益轻薄短小，而且对效率和温度有严格的需求，传统的萧特基（Schottky）二极体解决方案已不堪用。

SBRT15元件在15A的电流下，正向电压为0.47V；SBRT20元件则在20A的电流下达到0.5V的正向电压，搭配摄氏+90度的操作温度，可尽量减少传导损耗并提高充电器效率。 SBRT15及SBRT20在摄氏+125度的高温下，分别达到105mA和100​​mA的低逆向漏电流，有助于把阻断模式损耗降到最低。

SBRT20U50SLP及SBRT15U50SP5是沟槽型超级势垒整流产品完整系列中的首两款整流器，提供从10V到100V宽广的逆向电压范围、0.2A到40A的电流处理能力，以及多种不同的封装选择，包括Diodes旗下节省空间的PowerDI123、PowerDI5和PowerDI5060。 （编辑部陈复霞整理）