账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Littelfuse瞬态抑制二极体阵列 避免静电放电和雷击感应浪涌
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年02月07日 星期三

浏览人次:【2580】

Littelfuse, Inc.新推符合AEC-Q101标准的瞬态抑制二极体阵列系列,该系列产品经过优化,可保护敏感的电信埠避免因静电放电 (ESD) 和雷击感应浪涌而受损。

SP4208系列瞬态抑制二极体阵列
SP4208系列瞬态抑制二极体阵列

SP4208系列瞬态抑制二极体阵列(SPA二极体)包括了低电容控向二极体和一个(单向保护)或两个(双向保护)雪崩击穿二极体。该系列产品可安全吸收高达30A浪涌电流和至少±30kV静电放电冲击,而不会出现性能减退。其具有低负载电容(3.0pF)和高浪涌防护能力,是保护乙太网等电信埠和其他高速资料介面的理想选择。

SP4208系列瞬态抑制二极体阵列的典型应用包括10/100/1000乙太网、T1/E1/T3/E3.、USB 1.1/2.0、电源埠、仪表、医疗设备、电脑和周边设备。

「SP4208系列瞬态抑制二极体阵列将8V断态电压与低动态电阻相结合,支援在较高电压条件下运行的G.Fast。」Littelfuse瞬态抑制二极体阵列(SPA二极体)业务开发经理Tim Micun表示, 「‘直通型’设计可最大限度地减少信号失真和电压过冲,并简化印刷电路设计。」

SP4208系列瞬态抑制二极体阵列具有下列突出优势,8V平均断态电压支援更高的工作电压,这对高速介面而言是一个越来越重要的考虑因素。而低寄生电容(平均值为3.0pF)允许适量的频宽来启用高速乙太网介面。极低的动态电阻(平均值为0.4?)有助於确保在ESD事件中作出最快的回应。

關鍵字: 瞬態抑制  二極體陣列  Littelfuse 
相关产品
Littelfuse NanoT IP67级轻触开关系列新增操作选项
Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
Littelfuse扩展ITV 5安培额定电流电池保护器系列
  相关新闻
» 半固态电池装车量缓步上升 预估2027年渗透率破1%
» 荷兰新创突破矽阳极电池技术 提升锂电池寿命与耐用性
» 日本政府批准新一波投资法案 助力Rapidus打造2奈米晶片产线
» 时机大好? 中国电动车巨头进军人形机器人市场
» 从2024年强劲复苏到2025年持续增长 AI加速驱动半导体发展
  相关文章
» 光场显示:彻底解决AR/VR的视觉疲劳
» 突破速度与连接极限 Wi-Fi 7开启无线网路新篇章
» 电动车、5G、新能源:宽能隙元件大显身手
» 高功率元件的创新封装与热管理技术
» 高功率元件加速驱动电气化未来:产业趋势与挑战

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK92H2T11B6STACUK0
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw