Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出最大结温高达+175°C的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能45V肖特基二极管。30CTT045与60CPT045器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提升汽车及其他高温应用中的功率密度。

Vishay推出最大结温高达+175°C的业界首款第5代高性能45V肖特基二极管。（来源：厂商）

日前推出的这两款肖特基二极管在+125°C时具有超低的最大正向压降，对于2x30A 60CPT045，30A时典型正向压降低于0.50V，对于2x15A 30CTT045，15A时典型正向压降低于0.50V。这两款器件在+125°C时均具有超低的反向漏电流，分别为5mA及2mA，并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的VF与IR权衡，可实现更高的系统效率。

30CTT045与60CPT045均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D级放大器，以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度SMPS；台式计算机适配器；服务器、汽车驱动器与控制装置；消费类电子产品，例如PDP、LCD及高效的音频系统；移动电子产品，例如笔记本计算机、手机及便携式媒体播放器。

对于设计人员，这些新型器件采用符合RoHS的小型封装，可改善成本功耗比，并且具有RBSOA，可实现紧凑的低成本设计。30CTT045采用TO-220封装，而60CPT045采用TO-247封装。

稳定的高击穿电压（一般高于57V）可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度增加了25%。这两款器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提升了40%，雪崩时部件可得到完全屏蔽，且开关损耗极小。