全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司，推出全新的100V IRFB4710及IRFS4710型HEXFET功率MOSFET晶体管。新组件能增加48V输入、半桥或全桥式电路拓朴技术(half-bridge or full-bridge topologies)的功率密度，一般适用于电讯及数据通讯设备的高性能DC-DC转换器。

IR MOSFET晶体管

IRFB4710采用TO-220封装，额定电流达75A，较上一代组件高三成。设计人员可利用更少的并联组件达到所需的电流量，节省组件的体积、重量和电源供应成本。随着数据传输量不断递增，以及电讯与数据通讯设备耗电量的相对提升，DC-DC转换器必须能以相同或更小的面积达到更高功率水平。

最新IRFB4710及IRFS4710型MOSFET有着比旧式组件低四成的导通电阻 (RDS(on))，所以能达到更高效率和更低操作温度。内环电路测试显示，四枚IRFB4710在350W环境下的操作温度，较业界标准组件低20°C。

设计人员为防止电讯设备过热，往往耗费大量的组件空间和操作成本。IR的新组件提供了绝佳的功能，可减低用于散热的体积和冷却成本。随着操作温度下降，系统的可靠性也随着增加。对于需维持服务运作无间断的行业，这项功能是非常重要的。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「IRFB4710 MOSFET让高性能电讯及数据通讯DC-DC功率系统的设计人员拥有一个更有利的选择。它可增强每立方吋的功率密度 (以瓦特计算)，有助缩减电源供应系统的体积、重量及成本。同时，该组件可降低系统温度，提高可靠性。IR不断致力于开发与提供领先的科技，以展现我们拓展电讯及数据通讯市场的决心。」

IRFS4710 MOSFET采用D2Pak封装，适用于100至300 Watt机板黏着式功率系统。IRFB4710则采用TO-220封装，适用于无线基站中的3kW至5kW鞋盒型电源供应系统。