英飞凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技术：CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化矽（SiC）晶片将透过常见的Easy模组系列以及.XT互连技术的独立封装，建置於广泛扩充的产品组合。

M1H晶片具备高度灵活性，适用於太阳能系统（如逆变器）等需要满足峰值需求的应用，同时也是电动车快速充电、能源储存系统及其他工业应用的理想选择。

CoolSiC技术的最新进展可显着扩大闸极操作窗囗，从而改善给定裸晶尺寸的导通电阻。同时，更大的闸极操作窗囗提供了对闸极驱动器和布局相关电压峰值的高鲁棒性，即使在更高的切换频率下，也不会受到任何限制。

随着M1H晶片技术的发展，相关的外壳也采用了相似的技术与封装，藉以实现更高的功率密度，可为工程师提供更多选择来提升应用性能。

M1H将会整合至业界常用的Easy系列中，可进一步加强Easy 1B与2B模组。此外，还将推出一款采用全新1200 V CoolSiC MOSFET强化Easy 3B模组的新产品。新晶片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性并确保了最广泛的工业产品组合。M1H晶片可大幅改善模组的导通电阻，使装置更有效率、更加可靠。

此外，最大暂态接面温度为175。C以及过载能力的提升，可实现更高的功率密度与故障事件覆盖率。与前代M1相比，M1H采用较少量的内部Rg，更易於最隹化切换特性。透过M1晶片，仍可保有动态特性。

除了Easy模组系列外，CoolSiC MOSFET 1200 V M1H产品组合还包括具备全新超低电阻7 m?、14 m?和20 m?的TO247-3和TO247-4独立封装。新装置易於设计，特别是由於闸极电压过冲和下冲，全新的最大闸源极电压低至-10V，并配备雪崩与短路能力规格。

英飞凌的.XT互连技术先前已推出D2PAK-7L封装，现在也在TO封装中采用这项技术。与标准互连相比，其散热能力加强了30%以上。因此，这项散热优势可用於提高高达15%的输出功率。

此外，它可用於增加开关频率以进一步缩减在例如电动汽车（EV）充电、储能或光伏系统中的被动元件，可提高功率密度并降低系统成本。在不变更系统操作条件的情况下，.XT技术将会降低SiC MOSFET接面温度，因此可大幅增加系统的使用寿命和功率循环能力。这是伺服驱动器等应用中的关键要求。

该款1200 V CoolSiC MOSFET M1H新产品可进一步提高基於SiC应用的最隹化潜力，在全球快速实现洁净能源和能源效率。