国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET晶片组，适用于负载点(POL)转换器设计，以及伺服器、高端桌上型电脑和笔记簿电脑应用。

IR推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET晶片组，适用于负载点(POL)转换器设计，以及伺服器、高端桌上型电脑和笔记簿电脑应用。 (图片来源:厂商)

新25V晶片组结合IR最新的HEXFET MOSFET矽技术与先进的DirectFET封装技术，把高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案整合在SO-8元件的占位面积，并采用了0.7mm纤薄设计。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特点包括导通电阻(RDS(on)) 非常低，也同时具备极低的闸电荷(Qg)和闸漏极电荷(Qgd)，以提升效率和温度效能，并可在每相位逾25A的情况下运作。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「IRF6710S2控制MOSFET拥有极低的闸电阻及电荷，而且，当与IRF6795M和IRF6797M这些包含整合式萧特基(Schottky) 整流器的同步MOSFET作协同设计时，能够为高频、高效率DC-DC转换器提供解决方案，让整个负载范围也可以发挥卓越性能。」

IRF6710S仅为0.3 Ohms的极低闸电阻和3.0 nC的超低米勒电荷(Qgd)，则可大幅减低开关损耗，使这些元件非常适合作为控制MOSFET之用。

IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，故当整合式萧特基整流器降低二极管传导损耗和反向修复损耗，这些新元件就能显著减少传导损耗，所以十分适合高电流同步MOSFET电路。 IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积，因此能轻易由原有SyncFET元件迈向使用新元件。