英飞凌科技股份有限公司成功开发出满足最高效率和品质要求的解决方案，针对MOSFET低频应用推出600V CoolMOS S7系列产品，带来优异的功率密度和能源效率。

英飞凌针对MOSFET低频应用新推出 600V CoolMOS S7系列产品，带来极隹的功率密度和能源效率。

CoolMOS S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改善以及高脉冲电流能力，并且具备最高品质标准。该元件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变级、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10mΩ CoolMOS S7 MOSFET是目前R_DS(on)最小的元件。

该产品系列专为低频开关应用而开发，旨在降低它们的导通损耗，确保最快速的回应和最高的效率。CoolMOS S7装置实现了比CoolMOS 7产品更低的R_DS(on) x A，因而能够成功地抵销开关损耗，实现更低的导通电阻和成本。对於高压开关而言，CoolMOS S7产品拥有市面上最低的导通电阻（R_DS(on)）。

此外，10mΩ晶片采用创新的顶面冷却QDPAK 封装，22mΩ晶片采用先进的小型TO无引脚（TOLL）SMD封装。这些MOSFET可助力实现经济、简化、精巧、模组化和高效的设计。设计出来的系统可以轻松满足规范要求和能效认证标准（如适用於SMPS的Titanium 标准），也能满足功率预算，减少零件数量和散热垫需求，同时降低整体拥有成本（TCO）。

22mΩ 600V CoolMOS S7 装置提供TO-leadless封装和TO-220封装，40mΩ和65mΩ装置采用TO-leadless封装。10mΩ CoolMOS S7 MOSFET将在2020年第四季上市。