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美光将发表低功率DRAM抢攻无线通信市场
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2001年02月07日 星期三

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SDRAM今年前景未明,为寻求产业第二春,DRAM巨擘美光(Micron)将在下周于美国发表低功率(low power)DRAM,产品定名为BAT-RAM,将抢攻无线通信市场,Infi neon、韩国三星等随后也都将在下半年推出低功率DRAM样本,预料将逐渐对低功率SRAM产生冲击。

美光DRAM营销处长Jeff Mailloux表示,美光将于12日在美国发表低功率DRAM产品BAT-RAM,将DRAM应用领域由桌面计算机正式带往包括移动电话、个人数字助理(PDA)以及口袋型计算机等无线通信领域,耗电与芯片封装都将比标准型DRAM大幅减少,当然能接受的温度变化也比标准型范围加大。

Mailloux指出,美光是在客户长期要求下推出此项产品,预料这项业界创举将会为DRAM在未来第三代或第二‧五代移动电话中开拓新应用所带来需求。

關鍵字: SDRAM  DRAM  美光  Infineon  三星  动态随机存取内存 
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