英飞凌科技股份有限公司宣布推出全新的 TO 无铅封装产品，能减少封装电阻、大幅缩小尺寸，还能改善 EMI 特性。产品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，适用于具有高功率和稳定性需求的应用，像是堆高机、轻型电动车、电子保险丝 (eFuse)、负载点 (PoL) 和电信系统等。

全新 TO 无铅封装的设计可耐受高达 300A 的高电流。封装电阻较低，因此在所有电压等级下都能达到最低的 RDS(on)。封装尺寸比 D2PAK 7pin 少 60%，能将设计体积减到最小。TO 无铅封装的体积大幅减少 30%，让堆高机等应用所需要的电路板空间更小。高度减少 50%，在机架或刀锋服务器等一些需要小巧体积的应用中尤其具备优势。此外，封装的寄生电感较低，因此 EMI 特性更佳。

英飞凌低电压功率转换资深协理 Richard Kuncic 表示：「随着 TO 无铅封装的推出，英飞凌将成为第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半导体公司。产品可以减少堆高机应用中所需并联 MOSFET 的数量，同时提高功率密度。此种封装能为我们的客户带来重大优势，满足高功率应用的需求，提供最高等级的效率和可靠性。」

再加上，TO 无铅封装的焊接接触面积增加 50%，因此电流密度得以降低。如此可避免在高电流量和高温下发生电迁移，进而提升可靠性。与其他无铅封装不同的是，TO 无铅封装采用焊锡的沟槽引脚，因此能够用肉眼检查。

此种全新封装是高功率应用的最佳选择，能满足应用对高效率、优异可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散热特性等的需求。