英特爾23日發表業界首套採用0.13微米製程生產的快閃記憶體，該款產品軟0.18微米生產的快閃記憶體體積縮小近50%，適用於小尺寸及低耗電的行動電話、視訊轉換器等，英特爾表示可望領先其他供應商兩個商品世代。

英特爾日前啟用全球第二座使用0.13微米的晶圓廠，並計畫年底前在美國四座晶圓廠生產0.13微米產品。

英特爾3伏特Advanced+Boot Block快閃記憶體將有32Mb與64Mb兩種版本。已開始供應32Mb位元晶片樣本，預計明年第二季開始生產。64Mb位元晶片將於2002年底生產。