安森美半導體，近日宣佈推出了一項獨特的溝道處理科技，相較於市場上其他溝道處理產品，其平均可增進導通電阻效能達40%。安森美半導體在今年底前，計劃推出一個以此創新之溝道處理科技為基礎的完整P通道及N通道MOSFET產品線。而在本季中將推出的初始元件所針對的應用為負載管理、電路充電、電池防護、以及可攜式和無線產品中之dc-dc轉換等。專為電腦和自動化應用而設計之高效能元件將隨後推出。

P通道及N通道MOSFET產品線

安森美半導體副總裁暨整合電源產品部總經理Ramesh Ramchandani表示，「我們將改進的單元結構與安森美半導體的溝道科技結合，成就了業界效能最佳的導通電阻特性，可直接轉換而延長電池壽命、更高的電源轉換特性、以及更高的熱效率。」他進一步表示 ，「目前市場上以溝道科技為基礎的MOSFET產品選擇非常多，但安森美半導體切入市場的優異元件，是以最先進的處理科技為基礎。」

安森美半導體獨特的溝道科技，實現了業界最高的通道密度，且在一定的封裝面積上提供了最佳的導通電阻效能。例如，安森美半導體可提供ChipFET封裝(1.8mm x 3.3mm)之8V、P通道和20V、P通道產品，其導通電阻分別為19 mOhms和21 mOhms。平均來說，這些導通電阻值在閘電壓為4.5V時，相較於市場上其他相同封裝面積的產品，所反映的是40%的增進效能。安森美半導體即將推出的Micro-8LL (3.3 mm x 3.3 mm) 、 TSOP-6 (3 mm x 3 mm) 和SC-88 (2.0 mm x 2.0 mm) 封裝之 MOSFET，也預期能增進同樣比例的效能。