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ST推出8Mbit和16Mbit串列快閃記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 賴孟伶報導】   2006年09月21日 星期四

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意法半導體(ST)為串列快閃記憶體的供應商,宣佈推出兩款新的高速8-Mbit和16-Mbit串列快閃記憶體產品,採用同類型產品中最小的封裝型式︰SO8N。ST是第一個推出這種體積小且具成本效益封裝型式的快閃記憶體供應商,適合各種對成本有較高要求的電腦及消費性電子產品在Code Stortage上的應用,如印表機、光碟機、無線網路(WLAN)模組及機上盒(STB)等。

兩款高速8-Mbit和16-Mbit串列快閃記憶體
兩款高速8-Mbit和16-Mbit串列快閃記憶體

M25P80和M25P16是兩款8-Mbit(1M x 8)和16-Mbit(2M x 8)的串列快閃記憶體,具有防寫保護機制,可支援速率高達50MHz的SPI相容匯流排的存取操作,能夠快速地把code存入到應用產品的RAM。以4線式高速串列介面替代並列式記憶體介面,並採用更小的封裝型式及較少的接腳數量,除了可以顯著地節省產品的成本和板面空間,也可減少系統CPU或ASIC的接腳數量。

採用0.11micron製造技術,ST的設計可在150mils SO8N封裝的裸晶片上做到高達16Mbit的儲存容量。此兩款新產品還同時提供其它的封裝型式,包括5 x 6mm 的MLP8封裝。M25P16也提供208mils的SO8W封裝。這些全都是無鉛封裝,並符合RoHS法令的規定。ST擁有廣泛的串列快閃記憶體產品系列,新推出的8Mbit和16Mbit晶片更強化了其產品線的陣容,儲存容量可從512-Kbit到128Mbit。

這兩款新推出的串列快閃記憶體的工作電壓範圍為2.7V到3.6V,工作溫度範圍為攝氏-40到+85度。其軟體功能包括Bulk Erase 和 Sector Erase、彈性的Page Program指令和防寫保護功能,及JEDEC標準的2位元組電子簽名可簡化身分驗証的程序,也同時相容於1位元組電子簽名。資料保存期限可長達20年以上,且每個區段可反復擦寫多於100000次以上。

關鍵字: 義法半導體(ST::半導體多次燒錄唯讀記憶體 

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