英飛凌科技股份有限公司宣佈推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該元件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行優化，進一步豐富英飛凌車規級分立式高壓元件的產品陣容。

推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT

得益於其出色的品質，EDT2 IGBT符合並超越車規級半導體分立元件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性。該IGBT採用汽車級微溝槽場中止（micro-pattern trench-field-stop）單元設計，所用技術已成功應用於EasyPACK 2B EDT2和HybridPACK等多款逆變器模組。

為了滿足目標應用的要求，英飛凌新推出的EDT2 IGBT產品系列具備出色的抗短路能力。此外，它所採用的TO247PLUS封裝具有更大的爬電距離，更有利於進行系統設計。同時，EDT2技術專門針對牽引逆變器進行優化，擊穿電壓為750 V，可支援高達470 VDC的電池電壓，並顯著降低開關和導通損耗。

分立式EDT2 IGBT在100°C的溫度條件下運行時，額定電流通常為120 A或200 A，這兩款型號均具有極低的正向電壓，相比上一代產品，導通損耗降低13%。

其中，額定電流為200 A的AIKQ200N75CP2，在採用TO247Plus封裝的分立式IGBT產品中堪稱出類拔萃。因此，僅需少量的並聯元件，便可實現既定的目標功率等級，同時還可提高功率密度，降低系統成本。

此外，EDT2 IGBT的參數分佈非常集中。集極射極飽和電壓（Vcesat）的典型值與最大值之間相差不足200 mV，閘極閾值電壓（VGEth）也相差不到750 mV。而且飽和電壓為正溫度係數。

總之，這些特性有助於輕鬆實現並聯運行，從而提高最終設計的系統靈活性和功率可擴展性。除此之外，這款IGBT元件還擁有平穩的開關特性、低閘極電荷（QG）和175°C的最高接面溫度（Tvjop）等優點。

英飛凌新推出的EDT2 IGBT包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩種型號，現已開始供貨。