意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）發佈新款先進高性能MEMS加速度計，針對最新智慧型手機等行動裝置中越具挑戰性的應用環境所設計。

意法半導體發佈新款先進高性能MEMS加速度計

現今的處理密集型（processing-intensive）行動應用軟體及超薄的手機設計導致行動產品很容易出現散熱異常及機身易折斷。在OEM廠商不斷地推出新產品機型的同時，動作感測的精確度、穩定性和反應性能必須有所提升，才可支援傾斜儀（Inclinometer）、手勢識別、遊戲、相機的人工水平儀、室內導航以及擴增實境（augmented reality）等功能。意法半導體的新LIS2HH12 3軸加速度計適時地導入創新的機械結構與專用處理器，在超薄行動裝置的惡劣散熱條件下仍持續穩定地帶來高性能。

意法半導體執行副總裁暨類比、MEMS和感測器事業群總經理Benedetto Vigna 表示：「新加速度計的創新架構代表了MEMS元件在設計上取得重大進展。新一代產品可滿足行動產業對先進動作感測應用在性能及穩定性的更高需求。」

LIS2HH12採用2mm x 2mm x 1mm微型封裝，為設計者滿足手機印刷電路板設計規則提供了更多的靈活性，有助於實現更精巧的手機外觀設計。加速度計提供±2、±4 或±8 g全量程選項和16位元數位輸出，整合溫度感測器、業界標準I2C與SPI介面，可支援1.71V到3.6V的寬類比電源電壓，還有兩個可簡化系統設計的可編程中斷產生器（interrupt generator）。LIS2HH12的典型零重力-溫度變化率為±0.25mg/C，穩定性是上一代產品的兩倍。同時，典型偏置精確度為±30mg，其彎曲抑制比（rejection versus bending）較現有解決方案高25%。

此外， LIS2HH12的電路和軟體與意法半導體最近發佈的LSM303C 2mm x 2mm MEMS電子羅盤模組相容，可讓OEM廠商研發軟硬體共用且更具經濟效益的差異化產品。此外，LIS2HH12加速度計搭配意法半導體的LIS3MDL獨立式磁場感測器，加上若干個離散元件，便可用於設計電子羅盤。

意法半導體現已開始提供採用2mm x 2mm x 1mm LGA-12封裝的LIS2HH12工程樣品，預計於2014年第一季開始量產。