功率半導體產品製造商意法半導體(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET產品的第一款產品。新的功率MOSFET系列產品具備極低的ON-resistence及優異的動態和avalanche特性，可幫助客戶大幅地降低其照明應用的傳導損耗及強化其產品的效能和可靠性。

STD11NM60N

因應商用照明應用市場對更高功率密度和更低成本的產品的持續需求，促使半導體廠商必須致力於提供最佳化的IC解決方案。新推出的最佳化功率MOSFET STD11NM60N採用ST第二代具專利的MDmesh技術，最大通態電阻RDS(ON)為450 mOhm，比起上一代MDmeshTM技術，可降低其電阻值高達55%，同時也並不會影響其對temperature dependence的精確控制。

STD11NM60N的主要特性包括一個優異的具dv/dt性能的二極體和出色的avalanche特性，可協助客戶確保其工作溫度維持在標準的範圍內。 因為其傳導損耗和功率消耗都很低，此產品還可協助客戶縮小其散熱器的體積以節省電路板的空間。

此小尺寸的晶片提供超小的DPAK/IPAK和TO-220FP封裝，特別適合照明應用產品，如大功率因數(High Power Factor)電子安定器和高強度放電燈管（High Intensity Discharge,HID）的電子安定器。