Diodes推出采用高热效、超威型DFN封装的新型双组件组合，适用于可携式设备的充电和开关应用。

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Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出，最新DMS2220LFDB及DMS2120LFWB组件把一个20V的P信道增强型MOSFET与一个相伴的二极管结合封装，提供2 x 2毫米的DFN2020格式和3 x 2毫米的DFN3020格式。另外的DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET联合封装成DFN2020格式。

相较于传统可携式应用设计中体积较大的3 x 3毫米封装，DFN2020可以节省55% 的PCB空间；离板高度只有0.5毫米，比传统的封装薄一半，能完全满足下一代产品设计的需求。用于这些封装的MOSFET皆具有低闸极电荷，在1.8V的VGS下典型RDS(ON)为86mΩ，可以保持最低的开关和通态损耗。

为了进一步提高操作效率，Diodes特别在这些封装内采用了本身的高效能超级势垒整流器(Super Barrier Rectifier)。组件的典型正向电压低至0.42V，功率耗散量远远低于现在一般Schottky二极管。