Littelfuse推出一个瞬态抑制二极体阵列(SPA二极体)产品系列,旨在保护PoweredUSB介面的直流电线免受破坏性静电放电(ESD)损坏。
|
SP11xx系列瞬态抑制二极体阵列可保护PoweredUSB介面的直流电线免受破坏性静电放电 (ESD)损坏。 |
SP11xx系列瞬态抑制二极体阵列采用以专有矽雪崩技术制造的稽纳二极体,可保护介面中的每个输入/输出引脚。 这款功能强大的器件具有高浪涌耐受性,拥有Littelfuse所有瞬态抑制二极体阵列中最高的每平方毫米浪涌密度,在PoweredUSB介面所有相关电压电平下具有极低的动态电阻。其可安全吸收±30kV的反复性ESD冲击而不会造成性能减退,还可在极低的箝位元电压下安全耗散80A的8/20μs浪涌电流。
SP11xx系列瞬态抑制二极体阵列可限制与??入交流/直流变换器相关、会向电池引入混电的快速瞬变,从而预防与平板电脑和智慧手机快速充电电池相关的过早损坏或发热问题。其还可用於保护USB 3.1 C型介面的Vbus线路,这种介面在手持设备中越来越常见。
SP11xx瞬态抑制二极体阵列的其他应用包括开关/按钮、测试设备/仪表、销售点终端、医疗设备、笔记型电脑/桌上型电脑/伺服器、电脑周边设备和汽车电子产品的ESD保护。
「SP11xx系列将能够发挥更高ESD保护水准的高浪涌耐受能力与能够加快回应速度的极低动态电阻相结合」Littelfuse瞬态抑制二极体阵列业务开发经理Tim Micun表示:「这款产品让设计师能够灵活选择应用的重点,无论是尺寸、成本还是性能。」
SP11xx系列(表面安装式 1610件装)提供卷带封装,并可通过全球各地的Littelfuse授权经销商索取样品。
产品特色
·极低动态电阻(RDYN)可确保更快速地回应静电放电瞬变现象以提升性能。
·离散式单向设计是适合直流介面的解决方案,可提供低动态电阻。
·不同电流条件下稳定的浪涌性能可在出现极端浪涌或ESD事件时提供更高的保护水准。