香港商富士通半导体有限公司台湾分公司今日宣布推出硅基板氮化镓(GaN)功率组件芯片MB51T008A，耐电压能达到150V。富士通半导体将于2013年7月开始为客户提供样品。MB51T008A的初始性能状态为常关型(Normally-off)，与同级耐电压的硅功率组件相比，MB51T008A的优值因子(FOM)可?低将近一半。采用富士通半导体的GaN功率器件，客户能设计出体积更小、效率更高的电源组件，并广泛运用于家电、ICT设备和汽车电子等领域。

MB51T008A具备许多优点，包括：(1) 拥有13 mΩ的导通电阻，而总闸极电荷为16 nC。若使用相同的耐电压，MB51T008A的优值因子(FOM)大约是硅功率组件的一半；(2) 采用WLCSP封装，能达到最低的寄生电感并支持高频率运作；(3) 专有的闸极设计，可默认关闭状态，以执行常关型运作。MB51T008A对使用DC-DC转换器中的高侧开关和低侧开关的数据通讯设备、工业产品和汽车电子而言，是最佳的选择。此外，由于MB51T008A支持电源电路中更高的切换频率，因此能缩小电源产品尺寸并提高效率。富士通半导体计划于2013年7月开始为客户提供样品，并于2014年开始量产。

除了提供耐电压达到150V的MB51T008A，富士通半导体还开发了耐电压为600 V 和30 V的产品，进而有助于在更广泛的产品线中提高电源效率。这些GaN功率组件芯片采用富士通研究所自1980年起开创研发的HEMT (高电子迁移率晶体管)技术。富士通半导体在GaN领域拥有多项专利技术和IP，可将GaN功率组件产品快速导入市场；并计划与各领域中的客户建立合作伙伴关系，以利未来拓展业务。

富士通半导体将于2013年7月17至19日，在日本东京国际博览中心举行的2013日本尖端技术展(TECHNO- FRONTIER 2013)中展出MB51T008A和GaN功率产品。富士通半导体也将展示效能提升且拥有2.5KW输出功率的电源产品原型和测试数据，该产品的高频率PFC模块和高频率DC-DC转换器采用了耐电压达到600V的GaN功率组件。