账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR 1200V IGBT为马达驱动器及不间断电源应用
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年06月18日 星期二

浏览人次:【5613】

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出坚固可靠,并为工业用马达驱动器及不间断电源 (UPS) 而优化的1200V超高速绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 系列。

IGBT为马达驱动器 BigPic:600x480
IGBT为马达驱动器 BigPic:600x480

全新组件利用IR的场截止沟槽式超薄晶圆技术,减少导通和开关损耗。该等组件与软恢复低Qrr二极管一起封装,并具有10us最小短路时间额定值,为强固工业应用作出了有效优化。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:「全新1200V沟槽IGBT配备了极低的Vce(on) 和低开关损耗,并且带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能,从而提高可靠性,以充分配合恶劣的工业环境。」

这些封装组件适用于从10到50A的广阔电流范围。其他主要的性能效益包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数,以及能够降低功耗和提升功率密度低VCE(on)。新组件亦可以裸片形式供应。

關鍵字: IGBT為馬達驅動器  IR 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» 茂纶携手数位资安共同打造科技新未来
» 英国公司推出革新技术 将甲??转化为高品质石墨烯
» 韩国研发突破性半导体封装技术 大幅提升产能并降成本
» 美国联邦通讯委员会发布新规定 加速推动C-V2X技术
» DigiKey第16届年度DigiWish隹节大放送活动即将开始
  相关文章
» ChipLink工具指南:PCIe® 交换机除错的好帮手
» 创新光科技提升汽车外饰灯照明度
» 以模拟工具提高氢生产燃料电池使用率
» 掌握石墨回收与替代 化解电池断链危机
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT3ASQQCSTACUKZ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw