安森美半导体（ON）于昨日（2/22）宣布，推出包括500 V和600 V组件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管系列。这些新方案的设计适合功率因子校正和脉冲宽调变段等高压、节能应用的强固要求，在这些应用中，加快导通时间及降低动态功率损耗至关重要。该方案适合应用用于游戏机、打印机和笔记本电脑电源适配器，及应用于ATX电源、液晶显示器(LCD)面板电源和工业照明镇流器。

ON扩充功率开关产品阵容推出高压MOSFET系列

安森美表示，这些新的500 V和600 V组件是单N信道MOSFET，以提供低导通电阻(RDS(on))实现极低的功率耗散。这些组件使用平面条形技术，能在极苛刻应用中工作。低门电荷降低开关损耗，还提高电源效能。这些组件的额定雪崩能量在电源应用中提供强固的工作。这些组件的优异性能组合帮助开发更高效能的电源子系统。

安森美半导体MOSFET产品分部副总裁兼总经理Paul Leonard表示，安森美战略性地进入了高压开关市场，提供丰富的500 V到600 V负载开关方案选择，更符合客户的总体电源管理需求。未来安森美将继续扩充高压功率MOSFET产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。