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應用材料推出新款沉積系統 符合埃米級AI晶片需求 (2026.04.14)
迎合現今AI運算需求急速攀升，半導體產業正不斷突破微縮極限，致力於提升處理器晶片中數千億個電晶體的能源效率表現。應用材料公司近日也新推出2款晶片製造系統，透過原子級的精度控制材料沉積，協助晶片製造商打造更快速、節能的電晶體，以支持全球AI基礎建設的擴張 |
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NTT開發AlN高頻晶體管 有望重塑通訊與功率半導體產業版圖 (2025.12.09)
NTT研究團隊成功研發全球首個以氮化鋁（Aluminum Nitride, AlN）為基礎的高頻晶體管。這款 AlN 高頻晶體管能在極高頻率下進行無線訊號放大，包括支援毫米波（mmWave）頻段，使其在後 5G、6G、衛星通訊以及新世代無線系統中具有革命性意義 |
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NTT開發AlN高頻晶體管 有望重塑通訊與功率半導體產業版圖 (2025.12.09)
NTT研究團隊成功研發全球首個以氮化鋁（Aluminum Nitride, AlN）為基礎的高頻晶體管。這款 AlN 高頻晶體管能在極高頻率下進行無線訊號放大，包括支援毫米波（mmWave）頻段，使其在後 5G、6G、衛星通訊以及新世代無線系統中具有革命性意義 |
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SoIC引領後摩爾定律時代：重塑晶片計算架構的關鍵力量 (2025.12.09)
SoIC不僅象徵後摩爾定律時代的技術方向，也代表台灣在全球技術競局中持續領先的關鍵力量。當全球算力需求加速成長，SoIC 將是推動未來十年半導體產業變革的核心引擎 |
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安世半導體引爆全球半導體供應鏈結構性風險 (2025.11.05)
安世半導體原為荷蘭公司、總部位於奈梅亨（Nijmegen），聚焦於二極體、晶體管、電源管理晶片等成熟製程元件。其母公司為中國的?泰科技（Wingtech Technology），該公司在 2018 年透過收購取得安世半導體 |
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安世半導體引爆全球半導體供應鏈結構性風險 (2025.11.05)
安世半導體原為荷蘭公司、總部位於奈梅亨（Nijmegen），聚焦於二極體、晶體管、電源管理晶片等成熟製程元件。其母公司為中國的?泰科技（Wingtech Technology），該公司在 2018 年透過收購取得安世半導體 |
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SK hynix與ASML完成首台High-NA EUV系統組裝 (2025.09.08)
南韓SK hynix 與荷蘭設備大廠 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系統的組裝作業。這項技術被譽為未來半導體製程的重要基石，代表記憶體產業正邁向新一輪技術革新。
這套設備的核心亮點，在於其數值孔徑（NA）達到 0.55，遠高於現有 EUV 系統普遍使用的 0.33 NA |
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SK hynix與ASML完成首台High-NA EUV系統組裝 (2025.09.08)
南韓SK hynix 與荷蘭設備大廠 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系統的組裝作業。這項技術被譽為未來半導體製程的重要基石，代表記憶體產業正邁向新一輪技術革新。
這套設備的核心亮點，在於其數值孔徑（NA）達到 0.55，遠高於現有 EUV 系統普遍使用的 0.33 NA |
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先進封裝重塑半導體產業生態系 (2025.09.08)
隨著AI、5G/6G、高效能運算與自駕車等應用持續推進，先進封裝將成為半導體技術突破與產業生態演化的核心引擎。整個產業不再只是追逐「更小的製程節點」，而是進入「系統級最佳化」的新時代 |
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xPU能效進化論 每瓦特算力成為AI時代新價值 (2025.05.07)
半導體產業必須重新定義「效能」：不再僅以每秒浮點運算次數（FLOPS）比較，而以每瓦特浮點運算（FLOPS/W）為核心指標。本文將從製程微縮、先進封裝、架構革新三個維度，深入剖析xPU的節能技術路線 |
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感測，無所不在 (2025.03.14)
從自動駕駛汽車到智慧家居，從工業機器人到無人機，越來越多的應用需要機器能夠感知和理解周圍的環境。而實現這一目標的關鍵，便是環境感知技術及其核心零組件。 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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VLSI TSA研討會4月將登場 聚焦高效能運算、矽光子、量子計算 (2025.03.13)
隨著全球半導體技術持續推進，AI、量子計算、高效能運算（HPC）等技術發展正驅動產業革新，今年由工研院主辦第42年的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用研討會」（VLSI TSA），即將於4月21~24日於新竹國賓飯店登場 |
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2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中，2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電（TSMC）正在積極研發2奈米製程，於2024年開始試產，並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA（環繞柵極）奈米片晶體管技術，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變 |
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2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中，2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電（TSMC）正在積極研發2奈米製程，於2024年開始試產，並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA（環繞柵極）奈米片晶體管技術，這是從傳統的FinFET轉向新一代晶體管架構的重大轉變 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
