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富士通微电子推出耐热125°C低功耗内存SiP
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2009年05月25日 星期一

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富士通微电子宣布推出两款新消费性FCRAM内存芯片,为首颗可承受125°C高温运作范围的内存,并可支持DDR SDRAM接口。此两款新FCRAM产品开始提供样本,包括512Mbit规格的MB81EDS516545芯片产品、以及256Mbit规格的MB81EDS256545芯片产品。此系列低功耗消费性内存,可针对系统级封装(SiP)进行优化,以支持包括数字电视与数字录像机等数字消费性产品。

厂商将藉由采用此新款结合SiP组态系统单芯片的FCRAM芯片,而增加许多竞争优势,即使因为运作速度提高,SiP的温度随之升高,但整个组件仍可维持顺利运作,而不会受到内存的影响或限制。此外,还可提供客户如减少产品开发投入资源、缩小机板空间、以及减少组件数量等方面的优势。

现今的数字消费性产品不断要求更高效能、更快速度、以及更低成本。为满足这些方面的需求,越来越多业者开始运用结合SoC内存芯片的SiP产品。采用SiP能减少必要的组件数量,并减少机板空间,进而协助降低系统成本。SiP亦可简化设计,像是开发高速内存接口,或是降低噪声的措施。

關鍵字: SiP封装  SoC  富士通微 
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