绝缘层上覆硅（SOI）晶圆与其它半导体生产用工程基板制造商Soitec（Euronext Paris），12日宣布其应用于65奈米线宽以下制程的应变绝缘硅（sSOI）晶圆已经上市，并成为业界首款因应未来需求而量产的商业基板。综合应变绝缘硅的高移动速度优势，以及绝缘层上覆硅具备的高速与低功率耗损特性，Soitec的新应变绝缘硅晶圆设计，可为新一代芯片带来更多在效能及功率上的优势。

Soitec总裁暨执行长André-Jacques Auberton-Hervé表示：『最新一批绝缘层上覆硅基板，目标锁定网络处理、运算、游戏及高阶无线产业内的进阶应用，而对这些应用来说，速度及极低功率十分重要。除了让芯片制造商可以更进一步扩大其产品的效能与功率优势，我们新的应变绝缘硅晶圆将会是未来之可延伸平台。』

Soitec指出，新一批应变绝缘硅基板之所以能吸引客户的兴趣，主要来自于市场与技术领导厂商希望能大幅提升电子移动速度，同时降低闸极的漏电与耗电量。此外，应变绝缘硅可协助克服CMOS制程感应的应变技术所带来的收缩问题，并为调整带宽间隙打开了一扇门。目前，Soitec为部分及完全耗尽装置架构，提供应变绝缘硅产品。由于应变绝缘硅与目前绝缘层覆硅和CMOS的制程兼容，并经证实可用于多鳍状信道电晶体（FinFETs）或多闸极信道晶体管（Multigate FETs）、 加上显著的移动能力增加与未来延伸性，应变绝缘硅对65奈米以下的装置来说，扮演十分重要的角色。

为达到客户对发展中应变绝缘硅的要求，Soitec已将其300毫米应变绝缘硅平台从开发转换到第一阶段的量产，这与公司进一步扩展产能，以符合市场要求的策略计划一致。Auberton-Hervé总结：『就像当初发展绝缘层上覆硅一样，我们将开始进行初期制造以因应早期用户的需要。接下来，当主流市场开始大量使用这项创新基板技术时，便启动量产步骤。此时，我们会持续专注于提高质量以符合客户不断演变的技术需求。』