触控感测市场领导厂商Cypress Semiconductor宣布LSI已为其新款12 Gb/s SAS适配卡（HBA）选用Cypress的平行式非挥发静态随机存取内存（nvSRAMs），这些适配卡将用在高效能服务器、工作站、及外接式储存系统。NvSRAMs为SAS适配卡提供高速、低电压的故障保护（fail-safe）内存，提升LSI解决方案的性能。此外，平行式nvSRAM具高度弹性，不仅能在不同电压下运作，还能像日志内存一样能够建立追踪纪录，也是获得LSI青睐的重要原因。

Cypress的平行式nvSRAM

LSI最近所推出的LSI SAS 9300 HBA系列，为业界首款12Gb/s SAS适配卡解决方案，支持高效能服务器、工作站、及外接式储存系统。此系列不仅能加快储存作业速度，还设计用来满足各种高效能应用对于不同环境的要求，其中包括事务数据库、Web 2.0、数据探勘、影音串流与编辑等。

Cypress的平行式nvSRAM访问时间仅25奈秒，为市面上最快的异步非挥发RAM。Cypress的nvSRAM支持无限次的数据读写与召回期限，数据保存期长达20年，因此非常适合运用在需要持续高速写入数据，以及非挥发性储存数据维持绝对安全性的应用，而且不需电池供电就能备份数据。

LSI公司营销部资深总监Robin Wagner表示：「转移至12 Gb/s SAS的主要原因是企业必须管理数据中心内持续增加的储存容量。关于使用nvSRAM作为日志内存，Cypress已有成功的经验，在这方面它们能符合LSI 9300产品系列的各项严苛效能要求。平行式nvSRAM的弹性，运作范围能延伸至电压3伏特以下，不仅能简化设计流程，还可加快产品上市时程。」

Cypress公司非挥发产品事业部资深总监Rainer Hoehler表示：「我们很高兴储存业界领导厂商LSI能选用Cypress的平行式nvSRAM内存。运用在业界首款12Gb/s解决方案，验证了平行式nvSRAM所提供效能的卓越与可靠性。」

平行式nvSRAM提供从256 kb到8 Mb的密度，包含多种组态版本。新款组件能在所有工业温度下运作，并提供各种业界标准封装，包括32-SOIC、44-TSOPII、48-SSOP、48-FBGA、及54-TSOPII。

Cypress的nvSRAM是采用SONOS（硅氧氮氧硅）嵌入式非挥发内存技术所制造。nvSRAM是各种需要高效能与绝对非挥发数据安全性应用的理想解决方案，包括像磁盘阵列系统、PLC可编程逻辑控制器、工业数据记录器、运算与网络系统、马达驱动器、路由器与交换器、航空电子、国防系统、以及游戏系统。

身为SONOS制程技术的领导者，Cypress正将此技术运用在其旗舰PSoCR混合讯号数组、可编程模块、以及其他产品上。SONOS兼容于各种标准CMOS技术，并提供众多优点，其中包括高效能、低功耗、以及抗辐射等。通过验证的SONOS技术能在Cypress内部晶圆厂与多家晶圆代工伙伴的工厂运作。这项技术在扩充性与易制性方面胜过其他磁性非挥发内存技术。Cypress使用nvSRAM的SONOS制程技术产品出货量已累积超过10亿颗。