安森美半导体（ON Semiconductor）近日推出新系列的100伏特沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR），用于笔记本电脑适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流（DC-DC）转换器等应用。

安森美推出新系列的100伏特沟槽型低正向压降肖特基整流器，低导电损耗、温度稳定性，用于计算及消费应用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用沟槽拓扑结构，提供低正向压降及更低漏电流，因而导电损耗低及提升的电路能效，説明设计工程师符合标准规范要求，不会增加复杂度，例如无须同步整流。

此LVFR系列利用沟槽金属氧化物半导体（MOS）结构，在正向偏置条件下提供更大的导电区，因而降低正向压降。在反向偏置条件下，此结构产生「夹断」（pinch-off）效应，从而降低漏电流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半导体的沟槽型LVFR的开关性能在-40°C至+150°C的整个工作结点温度范围内。

此外，安森美半导体将其30 A、100 V LVFR（NTST30100SG）与标准的30 A、100 V平面型肖特基整流器进行比较。基于65 W电源适配器测试的数据显示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。