英飞凌与华邦电子宣布双方已经签约以扩张现有的标准记忆芯片 (DRAM)的生产合作。依据新签订的协议，英飞凌将把该公司的0.09微米 DRAM沟槽式技术 (trench technology) 与300mm的生产技术移转给华邦，华邦则将以这种技术为英飞凌独家制造计算机应用方面的DRAM。英飞凌的技术转移将使华邦能够开发与销售有专利的特殊型内存产品，英飞凌则会获得授权费与权利金。此外，英飞凌与华邦也打算共同开发针对行动应用的特殊型内存产品。

这项新进展将使英飞凌藉由华邦的200mm与300mm厂，相当于增加了额外的自身产能 。依据双方2002年5月所签的一项协议，华邦将在该公司新竹200mm厂采用英飞凌的0.11微米 DRAM沟槽式技术，为英飞凌独家制造计算机应用方面的DRAM芯片。华邦将在台中兴建的300mm 新厂的首批产品预期在2005年底出货。

特殊型内存支持特殊需求的应用，包括绘图卡用RAM (128, 256Mbit) 与行动装置应用，例如是PDA、手机、与智能型手机。

英飞凌记忆产品事业集团的执行长Thomas Seifert说：「我们与华邦合作的延伸突显了我们对于亚洲的伙伴的承诺，而且更为支持我们DRAM业务与产品项目的成长。同时，我们也正在进一步的强化我们在亚洲的角色，目标是要在这里的市场达到全面的领先地位」。

华邦总经理章青驹说：「我们先前与英飞凌的 0.11微米制程的技术转移很成功，所以奠定了扩大合作的基础，而且双方在未来的技术转移合作会更为强化」。

这项合作会更为强化英飞凌在DRAM市场中第三大半导体制造商的地位。据市调公司Gartner Dataquest的预测，亚洲的半导体市场势必由2003年大约49亿美元的规模成长 到2008年的94亿美元。