英飛凌科技（Infineon）推出兩款全新功率模組平台，提升1200V 至6.5kV 電壓等級中高壓 IGBT 的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有 IGBT 功率模組供應商。採用此平台概念的首批產品包括高電壓等級3.3kV（450A）、4.5kV（400A）及6.5kV（275 A），全新設計的封裝尺寸為100mm X 140mm X 40mm。

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可靠且高效能的IGBT模組是工業與牽引式馬達、風力與太陽能發電系統以及長距離電力傳輸等電力切換的主要技術。經過三十年的運用，晶片技術發展使IGBT僅須小幅調整標準封裝技術，就能達到更高的能源效率，符合更高的運作溫度需求，並同時達到縮減尺寸、提升可靠性，及降低成本的目標。隨著各種應用的需求持續提升、環境益發嚴苛，上述方法已達到極限，使得高功率模組封裝技術的改變成為持續提升效能的關鍵。

英飛凌開發的全新模組平台可滿足高功率密度、能源效率、使用週期長與耐用性等新興系統需求。其彈性的概念可讓相似的零件以並聯方式連接，因此能夠簡化DC連結端子與電容的結構。AC端子並聯也只需一個匯流排，新模組的彈性與擴充性將大幅簡化系統設計，有助達成開發人員的上市時間要求。全新高功率模組利用最新的封裝技術，有助於降低整體系統成本，並確保設計可符合未來的需求。

英飛凌工業電源控制事業處高功率部門協理Markus Hermwille表示：「IGBT 技術面臨的挑戰持續增加，我們推出新的封裝技術，滿足業界當前與可預見未來的需求。所有高功率應用都能因為這項全新模組封裝技術大為獲益。我們的目標是供應大量可靠的全新高功率平台，因此邀請業界共享利用這項設計成果。」

這兩款全新模組將於2015年PCIM展會（5月19~ 21日，德國紐倫堡）中上市。另外，較低電壓等級的封裝設計也正在開發當中。首款採用全新封裝技術的產品是3.3kV模組，樣品將於2015年5月開始供貨，預計於2016年下半年開始量產。（編輯部陳復霞整理）