力旺電子（eMemory）與韓商美格納（MagnaChip）昨日（3/10）宣佈，由力旺電子開發之Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術，已建構於美格納0.11um 高壓先進製程平台，並將於2010年Q1進入量產。

具備NVM之高壓製程，主要應用於液晶顯示器驅動晶片與電源管理晶片產品，例如中小尺寸TFT-LCD面板、各類型行動裝置，以及LED照明應用等，皆能受惠於嵌入式非揮發性記憶體技術而大幅提高生產彈性，縮短產品上市時程。目前力旺電子與美格納合作之技術平台涵括0.35um, 0.18um, 0.15um, 0.13um之邏輯、類比與高壓製程，力旺電子並表示該項產品已獲得台灣、歐美、韓國與中國地區等地客戶的廣泛採用。

美格納製造服務工程資深副總TJ Lee表示，為客戶創造最創新與成本低廉的製造解決方案是美格納努力的目標，結合美格納卓越的製造專業與力旺優異的Neobit 嵌入式非揮發性記憶體技術，將能提供客戶於產品應用上之最佳解決方案。