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IR推出擴展中壓功率MOSFET產品系列
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2010年07月06日 星期二

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IR於日前宣布,推出擴展HEXFETR功率的MOSFET產品系列,提供完整的中壓元件陣營。它們採用5x6 mm PQFN封裝,並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。

IR推出擴展中壓功率MOSFET產品系列
IR推出擴展中壓功率MOSFET產品系列

MOSFET採用了IR最新的矽技術,能夠提供開關應用所需要的標準效能,適用於網路和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及馬達驅動開關。由於這些元件能夠支援40V到250V的寬廣電壓,所以能夠提供不同水平的通態電阻(RDS(on))和閘極電荷(Qg),為客戶的特定應用提供最佳化效能和體現更低的成本。

IR表示,各款元件皆具有低熱阻(少於0.5 °C/W),又符合MSL1 標準,採用的環保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質管制指令(RoHS)。

關鍵字: HEXFETR功率  IR 
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