Integrated Materials,Inc.宣佈半導體記憶體產品供應商Hynix Semiconductor,Inc.為其在韓國利川的300 mm生產線選擇Integrated Materials的SiFusion爐具。IMI的SiFusion蒸發皿將用於製造高級儲存晶片的LPCVD加工。

SiFusion純多晶矽蒸發皿避免了競爭對手金剛砂和石英產品所需的頻繁的例行清潔工作，延長了可用的爐具生產時間並且為工廠節省了成本。透過採用SiFusion蒸發皿，Hynix有望改善加工穩定性、提高吞吐量並降低總體故障率。

Integrated Materials的CEO兼總裁Tom Cadwell說，「能為Hynix提供所需爐具以實現更有效的爐具利用率和卓越的加工效能使我們感到十分激動。SiFusion爐具為更高的吞吐量、更低的成本和更輕鬆的加工移轉到下一代65奈米和45奈米設計開啟了大門。」

Hynix資質認定測試資料的總體結果表明，SiFusion輕鬆地滿足了Hynix的嚴格的生產標準，這是競爭對手的產品所無法實現的。與其他解決方案相比，測試資料表明可大幅節省成本。

Hynix Semiconductor,Inc.的一位資深工程經理說，「測試SiFusionTM 300 mm蒸發皿後，顯而易見這些蒸發皿可輕鬆整合到我們的系統中。此外，我們還看到了提高的工具正常執行時間和改善的加工效能，這些都允許Hynix提高我們客戶尋求的最新記憶體產品的產量。」