Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件，擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝，在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積。

Vishay推出新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET。（來源：廠商）

SiR440DP在4.5V閘極極驅動時最大導通電阻為2.0mΩ，在10V閘極極驅動時最大導通電阻為1.55mΩ。導通電阻與閘極極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值(FOM)，在4.5V時為87。