安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一款適用於太陽能逆變器應用的全SiC功率模組，該產品已被電源和熱管理方案供應商台達電選用，用於支持其M70A三相光伏組串逆變器產品組合。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模組整合了一個1200V、40mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200V，40A SiC升壓二極管。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模組整合了一個1200 V、40mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。SiC技術提供了要求高能效水準的太陽能逆變器等應用中所需的低反向恢復和快速開關特性。

安森美半導體先進電源分部高級副總裁Asif Jakwani表示：「碳化矽技術有潛力變革能源市場。安森美半導體開發的全SiC集成功率模組解決在太陽能逆變器在提升功率水準下對更高系統能效的需求，並證實SiC技術的成熟。」

台達電光伏逆變器事業部主管Raymond Lee表示：「我們專注於提供創新、清潔和節能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實現最高能效、減小產品體積和重量並滿足全球太陽能光伏市場需求的供應商合作。選用安森美半導體的全SiC功率模組用於我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因為它們提供同類最佳的性能，再結合我們在高能效電力電子領域的獨特專業知識，使我們的產品能實現高達98.8％的峰值能量轉換能效。」

作為安森美半導體不斷增長的基於寬能隙(WBG)技術的功率集成模組(PIM)陣容的一員，NXH40B120MNQ整合度高，引腳分配針對逆變器設計進行了最佳化。通過使用SiC裝置，功率模組提供低導通和開關損耗，從而支持使用更高的開關頻率，有助於提高逆變能效。 這些模組易於使用，可根據客戶的喜好，採用無焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項。

NXH40B120MNQ全SiC功率模組有2通道和3通道版本，還有2通道模組NXH80B120MNQ0，整合了一個1200V、80mΩ SiC MOSFET和1200V、20A SiC二極管。